計憶體簡單介紹(SDRAM, DDR1, DDR2, DDR3)

記憶體(RAM)具備多種特性:
1.存取速度快:
   記憶體(RAM)的存取時間是以奈秒(ns,10的-9次方秒)單位,他的速度比硬碟存取速度還要來的快!
2.可隨時讀寫(Read/Wtite)資料
3.需要靠電力維持記憶:
   因為記憶體(RAM)屬於隨機存取,只要一斷電,資料就會消失掉!
4.作為CPU與儲存設備間的橋樑:
   如果RAM沒有CPU處理資料內容,就必須從磁碟上載入,不過如果過於頻繁,電腦系統的整體速度效能會變慢! 讀取硬碟所需的時間遠大於存取記憶體. 
5.RAM的大小決定於系統上的執行效率:
   記憶體(RAM)的容量越大,電腦整體系統的效率越好! 這是因為暫存在記憶體上的資料可以更多, 對於存取硬碟次數可以減少很多.


SDRAM :
Synchronous dynamic random access memory
針腳共168支,電壓3.3V,工作時脈頻率為66~133MHz
DDR(SDRAM) 1:
DDR原名Double Data Rate,第一代的DDR1,針腳共184支,電壓2.5V,工作時脈頻率為200~400MHz

DDR2:
第二代的DDR2,針腳共240支,電壓1.8V,工作時脈頻率為400~800MHz

DDR3:
第三代的DDR3,針腳共240支,電壓1.5V,工作時脈頻率為800~1600MHz

一般來講,DDR的工作時脈頻率數字越大,傳輸速度越快
但是如果是DDR2,它的實際運作頻率必須要除以2,例如:DDR2 800MHz,它的實際運作頻率為400(800/2),因為DDR2是一個時脈可以進行兩筆資料傳輸
以電壓上來考量, DDR1 > DDR2 > DDR3. 這是因為在設計上為了更加省電. 
客觀的以電壓上計算如下 :
DDR1 會比SDRAM 省(3.3-2.5)/3.3 = 24% 電量
DDR2 會比DDR1 省(2.5-1.8)/2.5 = 28% 電量
DDR3 會比DDR2 省(1.8-1.5)/1.5 = 20% 電量
但整體耗電考量還必需加上整體設計, 所以電壓計算只能參考用.


(1)SDRAM 133: 
每秒存取133x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(133MHz*64bits)÷8bit/Byte=1.06GB
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(1)DDR 200: 
每秒存取200x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(200MHz*64bits)÷8bit/Byte=1.6GB

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(1)DDR2 400: PC2-3200
每秒存取400x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(400MHz*64bits)÷8bit/Byte=3.2GB



(2)DDR2 533: PC2-4300
每秒存取533x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(533MHz*64bits)÷8bit/Byte=4.3GB



(3)DDR2 667: PC2-5300
每秒存取667x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(667MHz*64bits)÷8bit/Byte=5.3GB


(4)DDR2 800: PC2-6400
每秒存取800x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(800MHz*64bits)÷8bit/Byte=6.4GB


如果一次裝兩條同容量同速度, 主機板有支援雙通道, 那存取速度會乘上兩倍.
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(1)DDR3 800: PC3-6400
每秒存取800x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(800MHz*64bits)÷8bit/Byte=6.4GB

(2)DDR3 1066: PC3-8500
每秒存取1066x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(1066MHz*64bits)÷8bit/Byte=8.5GB

(3)DDR3 1333: PC3-10600
每秒存取1333x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(1333MHz*64bits)÷8bit/Byte=10.6GB

(4)DDR3 1600: PC3-12800
每秒存取1600x1000000次
資料單位寬度64bits
所以(1600MHz*64bits)÷8bit/Byte=12.8GB

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在記憶體規格上
CL代表CL值,也就是延遲時間
指記憶體從要求所需資料到實際可開始讀寫所需的週期單位(clock)
CL值原稱CAS Latency
CAS又名為Column Address Strobe
CL延遲值越小,代表記憶體(RAM)的反應速度越快
以下是各記憶體(RAM)的延遲值:

(1)SDRAM CL=3

(2)DDR 200 CL=2
(3)DDR2 400 CL=2,2.5,3
(5)DDR2 667 CL=4,5
(6)DDR2 800 CL=4,4.5,5,6
(7)DDR3 1066 CL=7
(8)DDR3 1333 CL=6,9
(9)DDR3 1600 CL=6,7,8,9